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影響結晶的因數及結晶過程控制

來源:江陰市卓云科技有限公司  發布時間:2017-6-10 10:46:22  點擊量:

影響結晶的因素主要有以下幾點:
1、漿料的過飽和度,這個主要由溫度來控制,溫度越低過飽和度越低。過飽和度越大,則,產生晶核越多,結晶體粒徑越小。
2、停留時間,時間越長,則產生的結晶體粒徑越大。停留時間與液位有關,液位越高,停留時間越強。
3、容器的攪拌強度,攪拌越強,容易破碎晶體,結晶體粒徑越小
4、雜質成分,雜質成分較多,則比較容易形成晶核,結晶體粒徑越小。
結晶過程控制:
1、維持穩定的過飽和度,防止結晶器在局部范圍內(例如蒸發面、冷卻表面、不同濃度的兩流股的混合區內)產生過大的過飽和度。
2、盡可能減低晶體的機械碰撞能量及幾率。
3、結晶器液面應保持一定的高度,如果液面太低,會破壞懸浮液床層,使過飽和度越過介穩區,產生大量晶核。
4、應防止系統帶氣,否則會破壞晶漿床層,使液面翻騰,溢流帶料嚴重。
5、應限制晶體的生長速率,即不以盲目提高過飽和度的方法,來達到提高產量的目的。
6、可對溶液進行加熱、過濾等預處理,以消除溶液中可能成為過多晶核的微粒。
7、從結晶器中及時移除過量的微晶。產品按粒度分級排出,使符合粒度罷求的晶粒能作為產品及時排出,而不使其在器內繼續參與循環。
8、將含有過量細晶的母液取出后加熱或稀釋,使細晶溶解,然后送回結晶器。
9、母液溫度不宜相差過大,避免過飽和度過大,晶核增多。
10、調節原料溶液的pH值或加入某些具有選擇性的添加劑以改變成核速率。
11、操作工應認真負責,在結晶操作上要勤檢查、穩定工藝,保證生產在最佳程序下進行。



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